IGBT及光电子器件用区熔硅单晶研发及产业化项目_环境影响评价_建设项目环评报告表

IGBT及光电子器件用区熔硅单晶研发及产业化项目

建设项目环评报告表 https://www.hpbgb.com 2024-04-19 07:44 出处：网络作者：天津中环领先材料技术有限公司编辑：@admin

IGBT及光电子器件用区熔硅单晶研发及产业化项目环境影响评价报告书公示，天津中环领先材料技术有限公司位于天津市滨海高新区，项目类别为电子元件及电子专用材料制造，环评编制单位津诚环安（天津）科技发展有限公司。更多环评公示信息可查询环评公示网。

建设项目名称:

IGBT及光电子器件用区熔硅单晶研发及产业化项目

项目类别：

36--081电子元件及电子专用材料制造

项目编号:

117t6o

环评文件类型：

报告书

建设地点：

天津市 - 滨海高新区

编制方式：

接受委托为建设单位编制环境影响报告书（表）

一、建设单位情况

建设单位名称：

天津中环领先材料技术有限公司

建设单位社会信用代码：

91120116675957927T

建设单位法定代表人：

王彦君

建设单位主要负责人：

谭永麟

建设单位直接负责的主管人员：

冯啸桐

二、编制单位情况

编制单位名称：

津诚环安（天津）科技发展有限公司

编制单位社会信用代码：

91120222MA06RX7F7B

三、编制人员情况

编制主持人
姓名:毕芳华，职业资格证书管理号:2016035120352016120102000219，信用编号：BH023761
主要编制人员
姓名:毕芳华，主要编写内容:前言、总则、周边环境概况、现有工程概况、本项目工程概况、环境影响经济损益分析、环境管理与监测、评价结论，信用编号:BH023761 姓名:侯帅，主要编写内容:施工期环境影响分析、运营期地表水环境影响分析、运营期声环境影响分析、运营期固体废物环境影响分析、环境风险分析与评价、环境保护措施及其可行性论证，信用编号:BH027965

补充说明 · 非官方公示结论（行业：电子元件及电子专用材料制造）

【项目环保要点】「IGBT及光电子器件用区熔硅单晶研发及产业化项目」（建设单位：天津中环领先材料技术有限公司）选址于天津市 - 滨海高新区，行业类别"电子元件及电子专用材料制造"。因编制环境影响报告书，评价工作一般涵盖现状调查、影响预测、环保措施论证与环境风险评价等环节；落地阶段以设施按设计建成、污染物稳定达标为验收要点。

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环境保护设施落实情况（参考，依据环评哥 www.eiage.com 同行业公开数据综合，非本项目结论）：根据环评哥（www.eiage.com）同行业（3558 个公开项目）的环保验收数据统计，该类项目环评常见的环保设施包括：废气治理——二级活性炭吸附装置、布袋除尘器、活性炭吸附装置（典型执行标准《大气污染物综合排放标准》（GB16297-1996））；废水治理——化粪池、三级化粪池；噪声治理——噪声治理设施、厂房隔声。注：具体项目的实际建设情况以建设单位验收报告为准。

【关联延展】更多“天津市”同行业环评项目公示，可参见环评哥（www.eiage.com）：天津市电子专用材料制造环评项目公示。