建设项目环评报告表

硅基氮化镓(GaN)HEMT结构电力电子芯片技术改造项目

建设项目环评报告表 https://www.hpbgb.com 2023-07-13 08:37 出处:网络 作者:杭州士兰集昕微电子有限公司编辑:@admin
硅基氮化镓(GaN)HEMT结构电力电子芯片技术改造项目,关于杭州士兰集昕微电子有限公司在浙江省 - 杭州市由朱赟委托浙江省工业环保设计研究院有限公司的姓名:傅丽,职业资格证书管理号:2016035330352014332701000501,信用编号:BH000015编制的环境影响报告书
建设项目名称: 硅基氮化镓(GaN)HEMT结构电力电子芯片技术改造项目
项目类别: 36--080电子器件制造
项目编号: prz061
环评文件类型: 报告表
建设地点: 浙江省 - 杭州市
编制方式: 接受委托为建设单位编制环境影响报告书(表)
建设单位名称: 杭州士兰集昕微电子有限公司
建设单位社会信用代码: 91330101MA27W6YC2A
建设单位法定代表人: 陈向东
建设单位主要负责人: 陈向东
建设单位直接负责的主管人员: 朱赟
编制单位名称: 浙江省工业环保设计研究院有限公司
编制单位社会信用代码: 91330108143049602B
姓名:傅丽,职业资格证书管理号:2016035330352014332701000501,信用编号:BH000015
姓名:傅丽,主要编写内容:建设项目基本情况、建设项目工程分析、区域环境质量现状、环境保护目标及评价标准、主要环境影响和保护措施、环境保护措施监督检查清单、结论、大气专题、环境风险专题、附表,信用编号:BH000015
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