建设项目名称: | 硅基氮化镓(GaN)HEMT结构电力电子芯片技术改造项目 | ||||||||
项目类别: | 36--080电子器件制造 | ||||||||
项目编号: | prz061 | ||||||||
环评文件类型: | 报告表 | ||||||||
建设地点: | 浙江省 - 杭州市 | ||||||||
编制方式: | 接受委托为建设单位编制环境影响报告书(表) | ||||||||
建设单位名称: | 杭州士兰集昕微电子有限公司 | ||||||||
建设单位社会信用代码: | 91330101MA27W6YC2A | ||||||||
建设单位法定代表人: | 陈向东 | ||||||||
建设单位主要负责人: | 陈向东 | ||||||||
建设单位直接负责的主管人员: | 朱赟 | ||||||||
编制单位名称: | 浙江省工业环保设计研究院有限公司 | ||||||||
编制单位社会信用代码: | 91330108143049602B | ||||||||
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硅基氮化镓(GaN)HEMT结构电力电子芯片技术改造项目
硅基氮化镓(GaN)HEMT结构电力电子芯片技术改造项目,关于杭州士兰集昕微电子有限公司在浙江省 - 杭州市由朱赟委托浙江省工业环保设计研究院有限公司的姓名:傅丽,职业资格证书管理号:2016035330352014332701000501,信用编号:BH000015编制的环境影响报告书
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