建设项目环评报告表

硅基氮化镓（GaN）HEMT结构电力电子芯片技术改造项目

建设项目环评报告表 https://www.hpbgb.com 2023-07-13 08:37 出处：网络作者：杭州士兰集昕微电子有限公司编辑：@admin

硅基氮化镓（GaN）HEMT结构电力电子芯片技术改造项目，关于杭州士兰集昕微电子有限公司在浙江省 - 杭州市由朱赟委托浙江省工业环保设计研究院有限公司的姓名:傅丽，职业资格证书管理号:2016035330352014332701000501，信用编号：BH000015编制的环境影响报告书

建设项目名称:	硅基氮化镓（GaN）HEMT结构电力电子芯片技术改造项目
项目类别：	36--080电子器件制造
项目编号:	6

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