建设项目名称:	DRAM存储器晶圆后道测试基地项目
项目类别：	36--081电子元件及电子专用材料制造
项目编号:	513rw4
环评文件类型：	报告表
建设地点：	安徽省 - 合肥市
编制方式：	接受委托为建设单位编制环境影响报告书（表）
一、建设单位情况
建设单位名称：	长鑫存储产品（合肥）有限公司
建设单位社会信用代码：	91340123MA8PN0YKXR
建设单位法定代表人：	赵纶
建设单位主要负责人：	王兵
建设单位直接负责的主管人员：	王兵
二、编制单位情况
编制单位名称：	中国电子工程设计院有限公司
编制单位社会信用代码：	91110000400007412C
三、编制人员情况
编制主持人 姓名:丁淮剑，职业资格证书管理号:2014035110350000003512110092，信用编号：BH015564 主要编制人员 姓名:丁淮剑，主要编写内容:编制报告，信用编号:BH015564 姓名:崔世光，主要编写内容:校对，信用编号:BH016762 姓名:李雪梅，主要编写内容:审定，信用编号:BH015659