建设项目名称: | 苏州华太电子技术股份有限公司射频氮化镓(GaN)工艺,射频高性能硅(SOI)工艺研发项目 | ||||||||
项目类别: | 45--098专业实验室、研发(试验)基地 | ||||||||
项目编号: | oe06ga | ||||||||
环评文件类型: | 报告表 | ||||||||
建设地点: | 江苏省 - 苏州市 | ||||||||
编制方式: | 接受委托为建设单位编制环境影响报告书(表) | ||||||||
建设单位名称: | 苏州华太电子技术股份有限公司 | ||||||||
建设单位社会信用代码: | 91320583552457543X | ||||||||
建设单位法定代表人: | 张耀辉 | ||||||||
建设单位主要负责人: | 任龙 | ||||||||
建设单位直接负责的主管人员: | 崔志勇 | ||||||||
编制单位名称: | 苏州科文环境科技有限公司 | ||||||||
编制单位社会信用代码: | 91320594689178908R | ||||||||
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苏州华太电子技术股份有限公司射频氮化镓(GaN)工艺,射频高性能硅(SOI)工艺研发项目
苏州华太电子技术股份有限公司射频氮化镓(GaN)工艺,射频高性能硅(SOI)工艺研发项目,关于苏州华太电子技术股份有限公司在江苏省 - 苏州市由崔志勇委托苏州科文环境科技有限公司的姓名:史新,职业资格证书管理号:2016035320352015320501000033,信用编号:BH022397编制的环境影响报告书
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