| 建设项目名称: | 苏州远创达科技有限公司年产GaN及LDMOS射频高功率半导体封装器件100万颗项目 | ||||||||
| 项目类别: | 36--080电子器件制造 | ||||||||
| 项目编号: | 9iv49i | ||||||||
| 环评文件类型: | 报告表 | ||||||||
| 建设地点: | 江苏省 - 苏州市 | ||||||||
| 编制方式: | 接受委托为建设单位编制环境影响报告书(表) | ||||||||
| 建设单位名称: | 苏州远创达科技有限公司 | ||||||||
| 建设单位社会信用代码: | 91320594678981201X | ||||||||
| 建设单位法定代表人: | 卓英浩 | ||||||||
| 建设单位主要负责人: | 卓英浩 | ||||||||
| 建设单位直接负责的主管人员: | 李进凤 | ||||||||
| 编制单位名称: | 苏州正恒环境科技有限公司 | ||||||||
| 编制单位社会信用代码: | 91320594346336222C | ||||||||
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苏州远创达科技有限公司年产GaN及LDMOS射频高功率半导体封装器件100万颗项目
苏州远创达科技有限公司年产GaN及LDMOS射频高功率半导体封装器件100万颗项目,关于苏州远创达科技有限公司在江苏省 - 苏州市由李进凤委托苏州正恒环境科技有限公司的姓名:蒋夏瑜,职业资格证书管理号:2016035320352014320406000426,信用编号:BH021672编制的环境影响报告书
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