建设项目名称: | 碳化硅高压功率模块关键技术研发 | ||||||||
项目类别: | 45--098专业实验室、研发(试验)基地 | ||||||||
项目编号: | 14603z | ||||||||
环评文件类型: | 报告表 | ||||||||
建设地点: | 北京市 - 顺义区 | ||||||||
编制方式: | 接受委托为建设单位编制环境影响报告书(表) | ||||||||
建设单位名称: | 北京国联万众半导体科技有限公司 | ||||||||
建设单位社会信用代码: | 91110113335510088B | ||||||||
建设单位法定代表人: | 崔玉兴 | ||||||||
建设单位主要负责人: | 刘相伍 | ||||||||
建设单位直接负责的主管人员: | 李少鹏 | ||||||||
编制单位名称: | 北京境泽技术服务有限公司 | ||||||||
编制单位社会信用代码: | 91110105306463630N | ||||||||
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碳化硅高压功率模块关键技术研发
碳化硅高压功率模块关键技术研发,关于北京国联万众半导体科技有限公司在北京市 - 顺义区由李少鹏委托北京境泽技术服务有限公司的姓名:浦长川,职业资格证书管理号:2017035210352016211514000199,信用编号:BH027156编制的环境影响报告书
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