建设项目名称:	第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设项目
项目类别：	28_083电子元件及电子专用材料制造
项目编号:	190mal
环评文件类型：	报告表
建设地点：	北京市-大兴区
编制方式：	接受委托为建设单位编制环境影响报告书（表）
一、建设单位情况
建设单位名称：	北京天科合达半导体股份有限公司
建设单位社会信用代码：	91110108792101765W
建设单位法定代表人：	杨建
建设单位主要负责人：	彭勇
建设单位直接负责的主管人员：	刘勇
二、编制单位情况
编制单位名称：	北京市科学技术研究院资源环境研究所
编制单位社会信用代码：	12110000400015017K
三、编制人员情况
编制主持人 姓名:江澜，职业资格证书管理号:08351343505130203，信用编号：BH021735 主要编制人员 姓名:江澜，主要编写内容:1.建设项目基本情况 2.建设项目所在地自然环境社会环境简况 3.环境质量状况 4.评价适用标准 5.建设项目工程分析 6.项目主要污染物产生及预计排放情况 7.环境影响分析 8.建设项目拟采取的防治措施及预期治理效果 9.结论与建议，信用编号:BH021735