建设项目名称:	第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设一期改造项目
项目类别：	36--081电子元件及电子专用材料制造
项目编号:	vm9b1g
环评文件类型：	报告书
建设地点：	北京市 - 大兴区
编制方式：	接受委托为建设单位编制环境影响报告书（表）
一、建设单位情况
建设单位名称：	北京天科合达半导体股份有限公司
建设单位社会信用代码	91110108792101765W
建设单位法定代表人：	杨建
建设单位主要负责人	彭同华
建设单位直接负责的主管人员	周少良
二、编制单位情况
编制单位名称：	北京市科学技术研究院资源环境研究所
编制单位社会信用代码：	www.hpbgb.com12110000400015017K
三、编制人员情况
编制主持人 姓名:江澜，职业资格证书管理号:08351343505130203，信用编号：BH021735 主要编制人员 姓名:肖小健，主要编写内容:6环境保护措施及其可行性分析论证8环境管理与监测计划，信用编号:BH021943 姓名:江澜，主要编写内容:1概述2总则3建设项目工程分析9评价结论与建议，信用编号:BH021735 姓名:高振，主要编写内容:4环境现状调查与评价7环境经济损益分析，信用编号:BH055495 姓名:周添，主要编写内容:5环境影响预测分析与评价，信用编号:BH055612