建设项目环评报告表

富政工出[2023]9号浙江芯科半导体有限公司建设2英寸碳化硅MOSFET功率芯片生产线项目

建设项目环评报告表 https://www.hpbgb.com 2024-04-23 08:04 出处:网络 作者:浙江芯科半导体有限公司编辑:@admin
富政工出[2023]9号浙江芯科半导体有限公司建设2英寸碳化硅MOSFET功率芯片生产线项目,关于浙江芯科半导体有限公司在浙江省 - 杭州市由龚彬彬委托浙江天川环保科技有限公司的姓名:祝云,职业资格证书管理号:20220503533000000016,信用编号:BH011979编制的环境影响报告书
建设项目名称: 富政工出[2023]9号浙江芯科半导体有限公司建设2英寸碳化硅MOSFET功率芯片生产线项目
项目类别: 36--080电子器件制造
项目编号: vu6d80
环评文件类型: 报告表
建设地点: 浙江省 - 杭州市
编制方式: 接受委托为建设单位编制环境影响报告书(表)
建设单位名称: 浙江芯科半导体有限公司
建设单位社会信用代码: 91330183MA2KKPXA82
建设单位法定代表人: 王小周
建设单位主要负责人: 董荣樑
建设单位直接负责的主管人员: 龚彬彬
编制单位名称: 浙江天川环保科技有限公司
编制单位社会信用代码: 913301057909005396
姓名:祝云,职业资格证书管理号:20220503533000000016,信用编号:BH011979
姓名:何冕儿,主要编写内容:全部,信用HEPA高效过滤器编号400度高温高效过滤器:BH034019
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