建设项目名称: | IGBT及光电子器件用区熔硅单晶研发及产业化项目 | ||||||||
项目类别: | 36--081电子元件及电子专用材料制造 | ||||||||
项目编号: | 117t6o | ||||||||
环评文件类型: | 报告书 | ||||||||
建设地点: | 天津市 - 滨海高新区 | ||||||||
编制方式: | 接受委托为建设单位编制环境影响报告书(表) | ||||||||
建设单位名称: | 天津中环领先材料技术有限公司 | ||||||||
建设单位社会信用代码: | 91120116675957927T | ||||||||
建设单位法定代表人: | 王彦君 | ||||||||
建设单位主要负责人: | 谭永麟 | ||||||||
建设单位直接负责的主管人员: | 冯啸桐 | ||||||||
编制单位名称: | 津诚环安(天津)科技发展有限公司 | ||||||||
编制单位社会信用代码: | 91120222MA06RX7F7B | ||||||||
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IGBT及光电子器件用区熔硅单晶研发及产业化项目
IGBT及光电子器件用区熔硅单晶研发及产业化项目,关于天津中环领先材料技术有限公司在天津市 - 滨海高新区由冯啸桐委托津诚环安(天津)科技发展有限公司的姓名:毕芳华,职业资格证书管理号:2016035120352016120102000219,信用编号:BH023761编制的环境影响报告书
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